详情介绍：
此款位移传感器为nm级别光学位移传感器，区分率可达10nm，丈量规模100um.差别于常用的电容式位移传感器，由于其接纳光学设计，具有对电磁**，可用于庞大的强电磁情况中
。由于接纳多种技术，使其灵敏度抵达干预仪级别
。
具有如下特色：
1.对温度变革不敏感
。
2.对电场，磁场及电磁辐射**
。
3.具有大的可测规模，对传感器定位精度要求不高
。
4.具有高的丈量带宽，适合于振动剖析及高速丈量
。
5.具有小的测试区域
。测试点巨细可为30um~400um的测试光斑
。

可应用于如下各场合：
1.定位控制
。
2.振动测试
。
3.离轴丈量
。
4.外貌特性测试
。
5.薄膜或涂层的厚度丈量
。

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